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1 bucket-brigade memory
пам’ять на приладах типу «пожежний ланцюжок»English-Ukrainian dictionary of microelectronics > bucket-brigade memory
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2 memory
пам’ять; запам’ятовуючий пристрій, ЗП - add-on memory
- array memory
- AS memory
- associate memory
- auxiliary memory
- backing memory
- beam-addressed memory
- bipolar memory
- block-oriented memory
- bucket-brigade memory
- buffer memory
- byte-wide random-access memory
- chalcogenide memory
- charge-coupled device memory
- charge-coupled memory
- charge packed memory
- charge-pumping memory
- CMOS/SOS memory
- content-addressable memory
- contiguous-disk bubble memory
- control memory
- cross-tie memory
- cryoelectronic memory
- cryogenic memory
- cryotron memory
- current-асcess magnetic-bubble memory
- destructive memory
- direct addressable memory
- dynamic memory
- electrically-alterable read-only memory
- electrically-erasable memory
- electronic-beam addressable memory
- emitter-coupled logic compatible memory
- erasable programmable readonly memory
- external memory
- factory-programmable read-only memory
- fast memory
- field-programmable read-only memory
- fixed memory
- fractional memory
- full wafer memory
- fusible-link programmable readonly memory
- general-purpose memory
- high-density memory
- high-speed memory
- IC memory
- I2L memory
- laser-programmed memory
- line-addressable random-access memory
- magnetic-bubble memory
- magnetic-film memory
- magnetooptic memory
- magnetoresistive random-асcess memoryies MRAMS
- magnetoresistive random-асcess memoryies
- mask-programmed memory
- mass-storagememory
- massmemory
- matrix memory
- microprogram memory
- molecular memory
- moving-domain memory
- MTL memory
- multichip memory
- multilevel memory
- nano memory
- nondestructive memory
- nonvolatile memory
- object-oriented memory
- off-chip memory
- on-chip memory
- one-transistor memory
- optical memory
- ovonic memory
- permanent memory
- polymer memory
- power-down memory
- programmable read-only memory
- pseudostatic memory
- random access memory
- read-mostly memory
- read-only memory
- registered programmable readonly memory
- reprogrammable memory
- Schottky programmable readonly memory
- scratch-pad memory
- self-refreshing memory
- semiconductor memory
- semipermanent memory
- solid-state memory
- stack memory
- static memory
- static-induction transistor memory
- superconductor memory
- supercurrent memory
- superdense memory
- superhigh-speed memory
- three-dimensional memory
- ultradense memory
- ultraviolet erasable memory
- VLSI memory
- volatile memory
- zeropower memory -
3 register
1. ім.1)регістр2) (точне) суміщення2. дієсл.1) реєструвати2) (точно) суміщати- address register
- bucket-brigade device register
- bucket-brigade register
- charge-coupled device register
- charge-coupled register
- charge-transfer device register
- charge-transfer register
- check register
- circulating shift register
- circulating register
- code register
- command register
- control register
- control status register
- CRC shift register
- data register
- feedback register
- feed-forward register
- flip-flop register
- interconnected registers
- interrupt register
- master-slave register
- memory register
- molecular shift register
- number register
- on-chip register
- quadruple-length register
- readout register
- shift register
- state variables register
- successive approximation register SAR
- successive approximation register
- word register
См. также в других словарях:
bucket-brigade memory — kopėtėlinė atmintinė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bucket brigade memory vok. Eimerkettenspeicher, m rus. запоминающее устройство типа пожарная цепочка , n pranc. mémoire à élément à chapelet, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Bucket Brigade Device — Ein Eimerkettenspeicher (engl. bucket brigade memory (BBM) oder auch bucket brigade device (BBD)) ist eine analoge Schaltung zum Ladungstransport nach dem Eimerkettenprinzip. Wie bei einer Eimerkette werden dabei die Ladungen der einzelnen… … Deutsch Wikipedia
Delay line memory — Computer memory types Volatile RAM DRAM (e.g., DDR SDRAM) SRAM In development T RAM Z RAM TTRAM Historical Delay line memory Selectron tube Williams tube … Wikipedia
Colonel Les Claypool's Fearless Flying Frog Brigade — Claypool playing the Whamola at The Rave (Milwaukee, WI). Background information Origin … Wikipedia
Eimerkettenprinzip — Ein Eimerkettenspeicher (engl. bucket brigade memory (BBM) oder auch bucket brigade device (BBD)) ist eine analoge Schaltung zum Ladungstransport nach dem Eimerkettenprinzip. Wie bei einer Eimerkette werden dabei die Ladungen der einzelnen… … Deutsch Wikipedia
Eimerkettenspeicher — Ein Eimerkettenspeicher (engl. bucket brigade memory (BBM) oder auch bucket brigade device (BBD)) ist eine analoge Schaltung zum Ladungstransport nach dem Eimerkettenprinzip. Wie bei einer Eimerkette werden dabei die Ladungen der einzelnen… … Deutsch Wikipedia
Laufzeitspeicher — Verzögerungsleitungen (engl. delay line) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen Leitung bestimmter Länge oder auch … Deutsch Wikipedia
VZL — Verzögerungsleitungen (engl. delay line) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen Leitung bestimmter Länge oder auch … Deutsch Wikipedia
Verzögerungsleitung — Verzögerungsleitungen (englisch delay line, Korrekt: Laufzeitleitung) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Verzögerungsschalter — Verzögerungsleitungen (engl. delay line) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen Leitung bestimmter Länge oder auch … Deutsch Wikipedia
Verzögerungsspeicher — Verzögerungsleitungen (engl. delay line) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen Leitung bestimmter Länge oder auch … Deutsch Wikipedia